试样可以为IC芯片、纳米材料、颗粒或表面改性后的包覆颗粒，对于纤维状试样，既可以切取横切面薄膜也可以切取纵切面薄膜。 fib fib 对含有界面的试样或纳米多层膜，该技术可以制备研究界面结构的透射电镜试样。 用FIB对芯片电路进行物理修改可使芯片设计者对芯片问题处作针对性的测试,以便更快更准确的验证设计方案。 fib 若芯片部份区域有问题,可通过FIB对此区域隔离或改正此区域功能,以便找到问题的症结。 FIB还能在最终产品量产之前提供部分样片和工程片,利用这些样片能加速终端产品的上市时间。
具備超高解析度的離子束及電子束的Dual Beam FIB，能針對樣品中的微細結構進行奈米尺度的定位及觀察。 離子束最大電流可達65nA，快速的切削速度能有效縮短取得資料的時間。 Dual Beam fib fib FIB(雙束聚焦離子束)機台能在使用離子束切割樣品的同時，用電子束對樣品斷面(剖面)進行觀察，亦可進行EDX的成份分析。 这一技术的特点是从纳米或微米尺度的试样中直接切取可供透射电镜或高分辨电镜研究的薄膜。
fib: 雙束電漿離子束 (Plasma FIB)
利用FIB修改芯片可以减少不成功的设计方案修改次数，缩短研发时间和周期。 材料中每一个晶向的排列方向不同，可以利用遂穿对比图像进行晶界或晶粒大小分布的分析。 fib 八台業界高階的FEI Helios-660 fib Dual Beam FIB設備，提供您絕佳影像品質與機台穩定性。
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