Kingston 所使用的 NAND 快閃記憶體，具備符合 SSD 固態硬碟工作負荷的耐用性等級。 這讓 Kingston 能夠以具競爭力的價格，提供各種 SSD 固態硬碟應用。 QLC快閃記憶體的歷史還很短，2018年上半年，Intel與美光同時推出了最早的一批QLC SSD產品，很快的，從2019年初起，開始有廠商將QLC SSD引進到儲存陣列產品，誕生了QLC儲存陣列。 SCM的發展已有10年以上的歷史，不過，一直到2017年初才實際商品化，接著，很快就有新創廠商將其應用於儲存陣列產品，但是直到2019年，一線儲存大廠才跟進引進SCM。 過去1、2年來，企業儲存產品正開始一波儲存媒體更新潮，分別出現在快閃固態儲存陣列，以及磁帶設備兩個領域。 關於市場動向及今後展望，鎧俠指出，隨著居家辦公、線上教學普及，帶動整體NAND Flash需求將維持高水準，而部分雖憂心因零件短缺導致生產進行調整，不過預估NAND Flash供需情況有望在今年下半年持續穩定，且NAND Flash市場中長期呈現成長趨勢的市場見解目前未發生太大變化。
隨後是快閃儲存大廠Pure Storage在2019年中發表的FlashArray//C系列。 過去10年來，曾先後出現過磁性記憶體（MRAM）、相變化記憶體（PCM）、電阻式記憶體（ReRAM）等SCM技術，但達到商品化與實際上市的產品，迄今只有Intel的Optane與三星的Z-SSD等兩種。 兩家廠商都沒有公布產品技術詳情，一般認為，Optane採用的3D XPoint記憶體屬於相變化記憶體（也有ReRAM的說法），而Z-SSD的Z-NAND技術則是NAND Flash的改進。 因 SSD、伺服器需求揚升，提振 NAND 型快閃記憶體（Flash Memory）價格一年四個月來首揚。
nandflashssd: 記憶體與儲存裝置之間有什麼差異？
去年 11 月美光就宣佈大量出貨全球首款 176 層堆疊的 3D NAND Flash 快閃記憶體。 與美光上一代大容量 3D NAND Flash 快閃記憶體產品相比，176 層堆疊 3D NAND Flash 快閃記憶體將資料讀取和寫入延遲縮短 35% 以上，176 層堆疊 3D NAND Flash 快閃記憶體採用緊湊型設計，晶片裸片尺寸比市場最接近的同類產品還要小近 30% 面積。 記憶體大廠美光 宣佈，為客戶端 OEM 市場推出 2 款支援 NVMe PCIe 4.0 的固態硬碟 ，包括美光 3400 固態硬碟和 2450 固態硬碟。 兩款固態硬碟均採用 176 層堆疊 3D NAND Flash 快閃記憶體，也是首批使用此 NAND Flash 快閃記憶體的美光固態硬碟。 垂直堆疊多層的記憶儲存格，可佔用較小的空間，同時建立更大的儲存容量，並透過縮短每個記憶儲存格的連接，提升效能。
3D NAND 快閃裝置可以使用 MLC、TLC 或 QLC 設計。 如果您有 Kingston USB 隨身碟或 SD 卡，代表您擁有裝有快閃記憶體的產品，也稱為 NAND 快閃記憶體。 過去五年內，NAND 快閃記憶體的銷售量在全球各地激增，而新產品 (如 SSD 固態硬碟) 正大舉進軍企業運算裝置，從筆記型電腦、桌上型電腦、工作站到伺服器，無一不包。
固態硬碟主要由控制器、儲存記憶體（FLASH Memory）所構成，快取記憶體（RAM）的部分則不一定都會有，看控制器本身的設計。 而SLC在寫入速度上明顯比MLC要來得更快，且能源使用上更有效率，還能提供比MLC更多次的反覆資料寫入次數，但是單價較高。 從OCZ的官方網站可以看到RevoDrive X2的最高容量產品高達了960GB，相當於是一個1TB傳統硬碟的容量了，但是可想而知的是，售價一定是天價，而且市場上也幾乎買不到，這就是目前高效能固態硬碟的缺點所在，尤其是這樣PCI-E架構的產品。 PCI-E x4的傳輸介面不只有更高的頻寬可以使用，也少了SATA傳輸線的影響，小編真的很欣賞這樣子的一種儲存裝置，但是也只能衷心的期盼它有朝一日可以降到一般玩家都可以入手的價格。 目前有五種 NAND 快閃記憶體儲存裝置，每種類型的之間差異在於每個儲存格可以儲存的位元數量。
nandflashssd: 使用 SMART 監控工具來維護您的 SSD 健康狀態
威剛董事長陳立白表示，本季DRAM現貨價與合約價雙雙看漲，市場復甦態勢底定，預期今年上半年合約價及現貨價將輪番漲價，逐步墊高，DRAM市況萬里無雲。 NAND Flash價格也轉趨明朗，目前晶圓代工產能不足，控制IC供給短缺，連帶固態硬碟（SSD）也面臨缺貨，價格漲幅逾15%，預期今年上半年將出現「NAND Flash不缺、SSD缺貨」的奇特市況。 金士頓SSDNOW系列固態硬碟在市場上一直頗受好評，除了挾帶著世界第一大記憶體廠商的名聲以及不錯的性價比之外，在市場上的能見度夠高也是消費者選購的因素之一。 眼尖的消費者會或許會在目前的標籤上發現多了一排「100」的標誌，這代表著是新一代的改良款系列，除了2.5吋的V+100及V100之外，上一期也有介紹過1.8吋的V+180。 MLC即多層式儲存，是英特爾在1997年9月最先開發成功，其作用是將兩個單位的資料存入1個Floating Gate(Flash Memory存儲單元中存放電荷的部分)，再利用不同電位的電荷，透過儲存的電壓控制讀寫。
- 不過當QLC結合各式存取管理技術，構成完整的SSD產品後，QLC SSD的實際效能與耐用性表現，其實與低階的TLC SSD相去不遠。
- 另外的要點就是必須要將主機板SATA的模式設在「AHCI」的狀態下，這方面請參考本期的另一篇特別企劃：「開機速度誰最快－作業系統碟的最佳選擇」，附帶一提的是，對於有支援NCQ指令集的傳統硬碟，也要在AHCI模式下才能開啟這些進階SATA功能。
- 不過傳統硬碟技術發展至今，已經有不錯防護措施了，再加上垂直寫入技術的成熟，磁密度大量提升，效能上也增進不少。
- 在新興儲存技術的競爭下，磁帶作為備份儲存，以及長期歸檔、保存資料的定位，逐漸為低成本磁碟裝置，以及公有雲的冷儲存服務所取代。
- 以在企業端儲存設備的應用來看，Optane是目前SCM的主流，檢視當前支援SCM的儲存陣列規格，我們可以發現，多是以搭配Intel Optane為主，如Dell、HPE、Pure Storage、Hitachi Vantara等，只有IBM是同時支援Intel與三星的SCM。
- 即便是在舊的系統上 (如果具有 SATA 相容介面)，SSD 固態硬碟也能為其賦予新生命並提升效能。
- 雖然LTO-9規格才剛發布，Quantum、Spectra等磁帶設備廠商，都已推出LTO-9磁帶裝置的預購方案。
- 硬碟的存取延遲以毫秒為單位，而 SSD 固態硬碟則在數百微秒內運作。
NVMe 是專為 SSD 等快閃儲存設備所設計的協定，我們從 SATA SSD 和機械式硬碟中所使用的傳統 AHCI 標準邁向 NVMe。 不過，他也指出，觀察過往市況，消費性市場通常在歷經3、4個月疲弱後，需求可望迎來強勁升溫，且第三季為電子市場的傳統旺季；隨著全球疫情衝擊逐步舒緩，下半年市場將會更旺，年底採購旺季效益可期，預期到歐美市場聖誕節前將有強勁買氣，「今年可能會是相對瘋狂的聖誕節」。 另一方面，在勒索軟體的威脅下，具備離線隔離與防竄改特性的磁帶設備，又開始在企業應用中受到重視。
nandflashssd: 您是否應該升級記憶體或是儲存裝置以獲得更好的 PC 效能？
目前的研究重點是基於NANDflashSSD和PCM等新型存儲設備的存儲系統性能分析、系統最佳化設計，以及它們在雲計算，大數據分析與移動網際網路等場景中的套用。 在新興儲存技術的競爭下，磁帶作為備份儲存，以及長期歸檔、保存資料的定位，逐漸為低成本磁碟裝置，以及公有雲的冷儲存服務所取代。 雖然LTO-9規格才剛發布，Quantum、Spectra等磁帶設備廠商，都已推出LTO-9磁帶裝置的預購方案。 從時間來看，最早投入QLC儲存陣列的廠商，是近來極受矚目的新創儲存廠商VAST Data，在2019年初率先發表採用QLC的Universal Storage儲存平臺。
MLC通過使用大量的電壓等級，每個單元儲存兩位數據，數據密度比較大。 即便是在舊的系統上 nandflashssd (如果具有 SATA 相容介面)，SSD 固態硬碟也能為其賦予新生命並提升效能。 在一台 Windows 系統裝置上，可以看出其啟動時間從數分鐘減少至一分鐘或更短，使得更換 SSD 固態硬碟成為效能提升的解決方案之一。 硬碟的存取延遲以毫秒為單位，而 SSD 固態硬碟則在數百微秒內運作。
試想它就像是汽車裡的油表，使用者可以定期檢查 SSD 固態硬碟的狀態。 為了延長 NAND 儲存裝置的壽命，NAND 快閃控制器確保寫入的所有資料平均分佈在裝置的所有實體區塊中，以避免 NAND 其中一個區塊比另一個更快地磨損。 LTO-9最重要的改進，是提供了單卷磁帶18TB的未壓縮容量，較上一代LTO-8的12TB容量高出50%，傳輸率也從LTO-8的360MB/s略為提高到400MB/s，並同樣具備硬體加密、WORM等安全功能。 報導指出，NAND Flash價格揚升，主要受惠於PC用SSD（核心零件為NAND Flash）需求揚升，加上資料中心伺服器訂單增加，自今年初春，NAND Flash供需開始出現緊繃。
SSD 固態硬碟是傳統硬碟（標準機械硬碟）的直接替代品，適用於具有相容介面 (如 SATA 或 SAS ) 的電腦。 正因為如此，SSD 固態硬碟不會像標準硬碟受到機械延遲的影響，而且也因為沒有活動式組件，固態硬碟比標準硬碟更能承受衝擊與震動，所以 SSD 固態硬碟非常適合用於各種可攜式及行動裝置。 與 DRAM 不同，它們的儲存格會隨著時間推移而磨損，因為寫入週期比讀取週期更為繁瑣。 NAND 儲存裝置的寫入週期數量是有限的，但始終保留在裝置上的快閃控制器所執行的磨損，可透過平均抹寫進行管理。 所有的 USB 隨身碟、SD 卡及 SSD 固態硬碟皆有 NAND 控制器，用來管理 NAND 快閃記憶體，並執行如平均抹寫及錯誤修正等功能。
nandflashssd: 加快 Mac 速度的 6 種方法
傳統硬碟至今已經有幾十年的歷史了，在基本架構及各項技術都相當成熟的現在，單位成本不斷地降低，現在零售市場的主流以售價二千元以下的1TB硬碟為主，然而2TB的產品也不過三千出頭，在幾年前，小編根本沒有想過硬碟市場會這麼快地就以「TB」作為計算單位了，實在是進步驚人。 然而隨著高畫質影像及設備更加普及的現在，就更需要這種低價格但是高容量的儲存媒體了。 因此對於一般使用者來說，低價大容量且效能也表現不錯，新一代的產品都還持續在進步的情況下，傳統硬碟還是儲存裝置上的首選。 nandflashssd SSD（Solid State Disk or Solid State Drive），也就是一般所稱的「固態硬碟」。 其實大家也不必將固態硬碟想得太複雜，就把它當成有高容量且速度快的大顆隨身碟就可以了，將固態硬碟拆開來裡面也不過是一片鑲有許多晶片的電路板而已。
首先，產品的雙層結構可不是為了組成大容量，但是卻沒有空間擺上那麼多的記憶體顆粒所以才會設計成雙層的方式。 小編將它拆開分離之後，可以讓讀者更加地清楚看到的確是有四個SandForce控制器存在，也就是說它是由四個SSD區塊所構成的。 在開機的時候會抓到卡片上的磁碟陣列BIOS，使用的RAID晶片為Silicon Image SiI3124，並且可以看到RAID 0的組態下有四個裝置。 由之前RevoDrive的經驗可以知道，兩個SSD做成RAID 0已經是效能驚人了，那麼這次更加的使用了四組來架設，相信表現會更佳地亮眼。
NAND Flash的基本存儲單元是頁，NAND Flash的頁類似硬碟的磁區，硬碟的1個磁區也為512位元組，而每頁的有效容量是512位元組的倍數。 所謂的有效容量是指用於資料存儲的部分，實際上還要加上16位元組的校驗資訊，因此用(512+16)Byte表示。 對此群聯表示，不評論單一客戶，但群聯看好QLC會在二個世代後成為主流，群聯在QLC領域控制晶片市場也不會缺席。
小編於159期曾經報導過OCZ RevoDrive 50GB PCI-E SSD，其驚人的實際資料傳輸效能高達了讀取：500MB/s、寫入450MB/s以上的成績，而建議售價8500元新台幣的價格，實在是讓小編很想敗一張回家玩玩，單價看似高了些，但是有這樣的高效能表現反而算是很超值。 而在當初RevoDrive推出的時候就有耳聞會有雙層的版本，畢竟在電路板上預留了四組運作時的燈號，也有空焊的連結槽存在，幾個月之後，小編手上果然就出現了這張RevoDrive X2阿！ 實在是很令人期待它的效能表現是否會更上一層樓，在本期的特別企劃－「作業系統碟的最佳選擇」中也還有RevoDrive 120GB版本的效能測試數據，讀者們可以加以參考，如此就能夠瞭解到這兩種版本的差異了。 然而標示的數據卻不能完全代表這個固態硬碟的好壞，就以小編的經驗而言，控制器管控資料讀寫方式的好壞真的會造成在當做系統碟時效能落差很大，對於使用壽命的掌控上，控制器更是最關鍵的因素，因為控制器必須要將資料分配給還未寫入過或是寫入次數較少的儲存槽上，以平均整體的寫入次數。 另外的要點就是必須要將主機板SATA的模式設在「AHCI」的狀態下，這方面請參考本期的另一篇特別企劃：「開機速度誰最快－作業系統碟的最佳選擇」，附帶一提的是，對於有支援NCQ指令集的傳統硬碟，也要在AHCI模式下才能開啟這些進階SATA功能。 金士頓SSDNOW V100系列可以說是市場上平價固態硬碟的好選擇，64GB單顆無任何配件的版本，零售未稅價才3500以下，在這邊供作採購的參考。
nandflashssd: 固態硬碟測試概述
每個儲存格都可以儲存資料，包括 SLC NAND ，每個儲存格儲存一個位元； MLC ，每個儲存格儲存兩格位元； TLC ，每個儲存格儲存三個位元； QLC ，每個儲存格儲存四個位元； PLC ，每個儲存格儲存五個位元。 這五種類型的 NAND 在一系列的價位中，提供效能及耐用性等級不同的固態硬碟，其中 SLC 是 NAND 市場中效能和成本皆是最高的產品。 這五種類型的 NAND 在一系列價位中提供不同層級的效能及耐用性固態硬碟，其中 SLC 是 NAND 市場中效能最高及成本最高的產品。 RevoDrive X2 240GB官方公布的最高讀取為740MB/s、寫入為720MB/s，4KB隨機存取的IOPS則高達了120000的驚人數據。 nandflashssd 然而小編在實測之後，最高檔案傳輸的存取效能以及4K QD32、4K-64Thrd方面的確是都有很不錯的數字展現，詳細可以參考測試數據表。 而會有這樣亮眼的傳輸成績，除了RAID 0的架設之外，SandForce的控制晶片加上Intel的MLC記憶體顆粒更是關鍵因素，在市面上許多效能表現良好的固態硬碟，都是使用這種的搭配方式。
而這一張的四個SandForce控制晶片看得出來都是重新標示為SF-1222TA3-SBH的，仔細觀察其實可以發現原本的數字可是SF-15xx呢！ 估計是SF-1200系列供不應求，所以才會把更高階的SF-1500系列控制晶片重新標示之後來使用吧。 固態硬碟的一個儲存槽以4KB作為單位，每個儲存槽有固定的寫入次數限制，當一個儲存槽的壽命到達上限之後，將會產生整個記憶體單元無法被寫入及讀取的情形。 而對於傳統硬碟來說雖然也會有磁性物質失效的問題，但是磁性物質失效之後硬碟的內部管理會將那一個磁區標記起來，不讓資料繼續讀寫到那一個磁區，但是其餘部分還是可以正常使用，因此在早期固態硬碟推出的時候，大家在擔憂以及討論的就是在於使用壽命的問題。 但是以現在記憶體顆粒的製程以及控制晶片資料管理能力進步的情形下，使用壽命的問題已經不再令人擔憂。
nandflashssd: 如何備份您的 Windows 或 Mac 電腦
美光表示，此次以QLC Nand flash所推出的全新美光 2400 SSD是全球首款針對客戶端應用打造的176層 PCIe Gen4 QLC SSD。 美光表示，全新的 176 層 QLC NAND 也將整合至部份美光 Crucial 消費型 SSD 中，做為系統設計者的參考元件。 群聯14日舉行技術論壇，展望市況，潘健成表示，因新冠肺炎疫情陸續延燒到中國多點，當地政府更祭出封城等措施，全球供應鏈受影響，加上全球通膨等因素，使第二季消費性市場疲軟。 可以預期，這股支援SCM的風潮，勢必會在2021年進一步發酵，中、高階儲存陣列都勢必要支援SCM，才不致在規格競爭落居下風。 儲存級記憶體（SCM）作為一種非揮發性的高速儲存媒體，填補了DRAM與NAND Flash記憶體之間的效能落差，進而能幫助減少從處理器到SSD之間的存取延遲。 市場普遍預期NAND Flash漲勢恐是暫時性，三星、鎧俠（Kioxia）預定今年後半增產，據半導體商社指出「最快可能明年轉趨下跌」。
不過市場預期 NAND Flash 漲勢恐是暫時性，最快可能明年轉趨下跌。 記憶體模組大廠威剛（3260）昨公告2020年自結財報，稅後盈餘達13.8億元，年增2.36倍，每股稅後盈餘6.1元，創近3年新高。 威剛受惠固態硬碟（SSD）出貨創新高，1月合併營收29.31億元，月增4.79%、年增59.51%，其中SSD產品單月營收年增1.1倍，達12.39億元，創歷史新高，營收比重跳升到42.28%，首度躍為第一大產品線，威剛第一季營運績效將大幅優於上季。 疫情帶動宅經濟持續發酵，筆電、平板電腦、伺服器加上5G手機換機趨勢，DRAM需求跟著增加，但三大供應商擴產有限，使得DRAM供需吃緊，繼上季現貨價上漲後，今年標準型、利基型等DRAM合約價紛調漲。 SLC即單層式儲存，SLC技術特點是在浮置閘極與源極之中的氧化薄膜更薄，在寫入數據時通過對浮置閘極的電荷加電壓，然後透過源極，即可將所儲存的電荷消除，透過這樣的方式，便可儲存1個資料單元，這種技術能提供快速的程序編程與讀取。 NAND是以塊為單位進行擦除，快閃記憶體的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有資料，必須先擦除後寫入，因此擦除操作是快閃記憶體的基本操作。
目前Quantum、Spectra等磁帶設備廠商，都已推出LTO-9磁帶產品的預購方案，讓用戶先購入LTO-8設備，待LTO-9正式上市後，即可直接升級到LTO-9規格。 從目前的情況來看，包括Pure Storage與NetApp兩家一線大廠，都已推出QLC儲存陣列，可見QLC用於企業儲存已經獲得認可，在2021年肯定會有更多廠商跟進。 美光 2450 固態硬碟外形規格包括微型 22×30 公釐、中型 22×42 公釐和標準型 22×80 公釐，均屬於 M.2 外形規格。 美光 3400 固態硬碟可提供 2TB 容量，內建美光 176 層堆疊 3D NAND Flash 快閃記憶體，並支援 PCIe 4.0。
以在企業端儲存設備的應用來看，Optane是目前SCM的主流，檢視當前支援SCM的儲存陣列規格，我們可以發現，多是以搭配Intel Optane為主，如Dell、HPE、Pure Storage、Hitachi Vantara等，只有IBM是同時支援Intel與三星的SCM。 nandflashssd SSDNOW系列目前大多使用TOSHIBA的記憶體及控制器，連電路板上的貼紙都直接貼了TOSHIBA的標籤，但早期也有使用SAMSUNG全韓製的產品存在。 nandflashssd 上一代的控制器為日本製，而小編手上的這款V100則全是台灣製的晶片，連整體封裝都在台灣，不過控制器本身與上一代不同，型號為TC58NCF618GBT，改良了部分的傳輸效能。 不過多年來的市場低迷，也在過去10年間，導致多種磁帶規格中斷了發展，目前只剩LTO與IBM3592兩種磁帶規格，仍持續發展。 而比起IBM獨家規格的3592系列，LTO憑著開放標準與多家大廠合作，是當前最普遍與最重要的磁帶技術規格。 因而LTO組織在2020年9月發布最新一代LTO-9規格，也成為儲存業界矚目的事件。
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