由於NAND型快閃記憶體本身相對簡單的結構及對高容量的高需求關係，使它成為電子元件中，在技術規模上發展最積極的。 nandflash 只有少數幾家頂尖的製造商能夠在高度的競爭中，積極的開發出縮小設計規則或是製程技術里程點。 雖然原始版本摩爾定律所預測尺寸縮小一半時程因子為每三年，但是在近期NAND型快閃記憶體的例子上這個因子卻是每兩年。 對於關聯性資料庫或其他使用ACID的資料庫事務系統上，即使是使用目前最慢的快閃記憶體儲存媒體也可以比使用硬碟所組成的陣列，在速度的表現上有著顯著的提升。
另外NAND FLASH 非常容易出现坏区，所以需要有校验的算法。 NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。 应用NAND的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。 NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同 。 执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作（尤其是更新小文件时）， 更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。
nandflash: NAND Flash 價格趨勢
NAND型記憶體的設計者理解到快閃記憶體的面積，在移除外部位址線及資料匯流排電路後，將可進一步縮小。 取而代之的是，外部裝置可使用順序存取命令與資料暫存器與NAND型快閃記憶體溝通，由記憶體內部取得所需資料並將其輸出。 選擇這種設計方式使得NAND型快閃記憶體無法隨機存取，但是NAND型快閃記憶體的主要目標是取代硬碟，而不是唯讀記憶體。 多階儲存單元（Multi-Level Cell,MLC）可以在每個儲存單元內儲存2個以上的資訊位元，其「多階」指的是電荷充電有多個能階（即多個電壓值），如此便能儲存多個位元的值於每個儲存單元中。 另外，如飛索半導體的MirrorBit技術，也是屬於這一類技術。 將NAND快閃記憶體在垂直方向進行堆疊和互聯，藉以提高單位面積的記憶體容量。
TLC NAND型快閃記憶體的續航率通常落在1千次或更多（Samsung 840）；以多層結構取代微縮及採用LDPC校正、都延長了續航率。 NOR型快閃記憶體SLC浮閘的寫入續航力通常大於或等於NAND型快閃記憶體，然而MLC NOR型與NAND型快閃記憶體有著相近的續航能力。 nandflash nandflash 瞭解筆記型及桌上型電腦記憶體技術，並瞭解為何在選購記憶體時，Kingston 是最值得您信賴的理想選擇。
nandflash: NandFlash详解
然而, NOR FLASH 製程微縮卻比NAND都要困難得多。 英特爾在 2008年發佈的一篇論文, 已經介紹了45nm 製程。 可是截至 2018年, 大約十年後的今天, 還是只有一兩個製造商可以提供45nm NOR FLASH產品。 快閃記憶體晶片的低階介面通常與透過支援外界的定址匯流排行隨機存取的DRAM、ROM、EEPROM等記憶體不同。 NOR Flash本身為讀取操作（支援隨機存取）提供外部定址匯流排；至於解鎖、抹除與寫入則須以區塊-區塊（Block-by-block）的方式進行，典型的區塊大小為64、128或256位元組。 NAND Flash所有的動作都必須以區塊性基礎（Block-wise fashion）執行，包含讀、寫、解鎖與抹除。
[來源請求]操作次數（Number of Operations, NOPs）則代表「頁」可以被寫入的次數。 [來源請求]NAND Flash也需要由裝置驅動程式軟體或分離的控制器晶片來進行壞區管理，例如SD卡內部便包含實行壞區管理與耗損平衡的電路。 當一個邏輯區被高階軟體存取時，邏輯區對應到實體區的工作則由驅動程式或控制器進行。 由於NOR Flash沒有原生壞區管理，所以一旦儲存區塊發生毀損，軟體或驅動程式必須接手這個問題，否則可能會導致裝置發生異常。 在解鎖、抹除或寫入NOR Flash區塊時，特殊的指令會先寫入已繪測的記憶區的第一頁（Page）。 接著快閃記憶晶片會提供可用的指令清單給實體驅動程式，而這些指令是由通用快閃記憶體介面（Common Flash memory Interface, CFI）所界定的。
nandflash: 快閃記憶體作為長時間檔案儲存媒體
同時，若產品支援DDR、interleave技術，也可以提高速度。 DDR是儲存產品在時脈上升沿和下降沿都可以讀寫資料，從而提高效能。 Interleave是儲存產品內不同bank或plane間交錯讀寫，控制器在運算物件尚處於忙狀態時，即可以轉到另一方進行操作，從而提高速度。 如果同類快閃記憶體中有非同步模式和同步模式之分，其中同步模式的讀寫速度會更快。
- 在一台 Windows 系統裝置上，可以看出其啟動時間從數分鐘減少至一分鐘或更短，使得更換 SSD 固態硬碟成為效能提升的解決方案之一。
- 相对而言，大页面NAND flash它为页内地址访问提供了足够的地址序列和访问地址位（13位地址访问4096+224字节空间，足够了），所以大页面NAND flash对页内地址的访问也更为简洁。
- 隨著NAND製程越來越小，縮短製程提高儲存密度已經非常困難。
- NOR的特点是芯片内执行,这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。
- 以上資料只是大概的標稱數值，實際寫入壽命與不同廠商的產品技術及定位有關。
- 對多數行動裝置而言，這些磨損管理技術可以延長其內部快閃記憶體的壽命（甚至超出這些裝置的使用年限）。
- NOR Flash可以承受一萬到一百萬次抹寫循環，它同時也是早期的可移除式快閃儲存媒體的基礎。
同時使用在高效能桌上型電腦及一些具有RAID和SAN架構的伺服器上作為硬碟的替代品。 不同種類、不同工藝、不同技術水平的NAND快閃記憶體在讀寫速率上存在差異，同時，快閃記憶體產品的讀寫效能也與讀寫方式有關。 一般快閃記憶體的資料介面為8位元或者16位元，其中8位元較為常見。
nandflash: DRAM 價格一年慘跌四成，三星 Q4 獲利恐驚見「腰斬」
NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可 以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就 相应地降低了价格。 由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s ，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进 行的，执行相同的操作最多只需要4ms。 不過未來也將慢慢以 SSD 硬碟為主，原因不外乎速度快、成本越來越低，最重要還是耗能比傳統硬碟低，在這個越來越講求環保的時代著實是個優勢。 常見的儲存單元包含了 4 bit 或 8 bit，每一個 bit 都會採用一個電路結構，我們稱為 DRAM 的一個「基本儲存單元」。 要運算時、CPU 會從記憶體中把資料載入暫存器、再讓暫存器中存的數字做運算，運算完再將結果存回記憶體中。 本公司保留隨時修改、變更、終止或暫停本活動內容及贈品細節等權利，本活動內容之修改以活動網站公告為主。
另外，在網路伺服器方面，Facebook的資料中心更是全面改用SSD，雖然耐用度較差，要求就是成本更低廉，存取速度更快更省電的特點。 以上的趨勢改變使得NAND Flash在應用面逐漸由SD卡與USB隨身碟轉向SSD。 而eMMC則多應用在智慧型手機中，在近年來手機成長趨緩之下，eMMC市場成長速度也同步放緩。 NOR型快閃記憶體面世後，成為比現有的EPROM與EEPROM記憶體更經濟、更方便的複寫型唯讀記憶體。 然而，NOR型快閃記憶體當成唯讀記憶體使用時的讀取次數在預期上通常遠大於寫入次數，所以其內含的寫入電路是相當慢的，並且只提供區塊抹除功能。
從這樣的角度看來，NAND Flash比較像光碟、硬碟這類的次級儲存裝置。 nandflash NAND Flash非常適合用於記憶卡之類的大量儲存裝置。 ），是一種像唯讀記憶體一樣的記憶體，允許對資料進行多次的刪除、加入或覆寫。
每單位容量儲存的價格，則由於QLC可以在同一個細胞存儲較大容量所以最便宜，接下來依序是TLC，MLC，SLC則為最貴。 效能與可靠度則以最簡單的SLC最好，其次是MLC，TLC，最差的則是QLC。 由於效能與可靠度可由控制IC來加強，所以若IC設計公司可以將QLC提升到滿足市場需求的規格，系統模組廠未來可用較便宜的QLC Flash來代替TLC與MLC，帶來高整個模組的毛利率，所以IC的單價也會較好。 以上資料只是大概的標稱數值，實際寫入壽命與不同廠商的產品技術及定位有關。 使用更細微化的製程，可以提高產品讀寫效能和容量，但同時在寫入壽命方面可能會面臨更大的挑戰。
與用於隨機存取的ROM不同，NOR Flash也可以用在儲存裝置上；不過與NAND Flash相比，NOR Flash的寫入速度一般來說會慢很多。 NOR Flash最常見用途之一就是BIOS ROM晶片。 所使用的快閃記憶體讀取方式隨著時間的推移會導致在同一區塊中相近的記憶單元內容改變（變成寫入動作）。 會導致讀取干擾現象的讀取次數門檻介於區塊被抹除間，通常為100,000次。 假如連續從一個記憶單元讀取，此記憶單元將不會受損，而受損卻是接下來被讀取的周圍記憶單元。 為避免讀取干擾問題，快閃記憶體控制器通常會計算從上次抹除動作後的區塊讀取動作總次數。
2012年後的快閃記憶體儲存裝置有了較大的容量，如64、128及256GB。 一些更大容量的固態硬碟，根據容量大小，能被使用來當作整個電腦的備份硬碟。 快閃記憶體又分為NOR與NAND兩型，快閃記憶體最常見的封裝方式是TSOP48和BGA，在邏輯介面上的標準則由於廠商陣營而區分為兩種：ONFI （頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）和Toggle。 手機上的快閃記憶體常常以eMMC、UFS和NVME（特用於蘋果裝置中的快閃記憶體）的方式存在。
Nand Flash的加工过程NAND Flash是从原始的硅材料加工出来的，硅材料被加工成晶圆，一片晶圆上可以做出几百颗NAND FLASH芯片。 芯片未封装前的晶粒成为Die，它是从Wafer上用激光切割而成的小片，每个Die就是一个… 之后 ，由CPU或者DMA将译码后的数据写入Memory的一个buffer中。 A、若没有控制器，对于写命令 “80h”这一操作，你就须要做很多事情：Set pin CLE high, set pin WE# low,等等,可能你还要以配置GPIO的形式让相应的数据在线出现 “80h”。 相对而言，大页面NAND flash它为页内地址访问提供了足够的地址序列和访问地址位（13位地址访问4096+224字节空间，足够了），所以大页面NAND flash对页内地址的访问也更为简洁。 2015年，英特爾及美光聯合發布了xPoint新型儲存媒介，這種媒介是一種相變儲存材料（而非NAND或者Nor），當下主要用於英特爾的Optane固態硬碟中。
3D NAND會提高產品容量還有穩定性，長江儲存3D NAND的Xtacking技術，可以有效降低在有不同製程需求的晶圓之間的干擾，增加執行效率，降低製造難度和設計難度，提升3D NAND的良品率。 NOR Flash需要很長的時間進行抹寫，但是它提供完整的定址與資料匯流排，並允許隨機存取記憶體上的任何區域，這使的它非常適合取代老式的ROM晶片。 當時ROM晶片主要用來儲存幾乎不需更新的程式碼，例如電腦的BIOS或機上盒（Set-top Box）的韌體。 NOR Flash可以承受一萬到一百萬次抹寫循環，它同時也是早期的可移除式快閃儲存媒體的基礎。 CompactFlash本來便是以NOR Flash為基礎的，雖然它之後跳槽到成本較低的NAND Flash。 反觀SSD方面，在主要NAND供應大廠包括三星，東芝，SK海力士，美光等策略改變，要賣儲存解決方案，則將產能優先供應給自己使用或者的eMMC與SSD的OEM業者。
使用如記憶損耗調節及memory over-provisioning的特定演算法及設計範例，可以用來調節儲存系統的續航率來符合特定的需求。 損耗平衡是快閃記憶體產品使用壽命的必要保證，在USB隨身碟和固態硬碟等產品中，均有相關支援。 消費性快閃記憶體儲存裝置一般使用2的整數次冪（2、4、8等等）來標示可使用的容量大小，而最終以百萬位元組（MB）或十億位元組（GB）來表示，例如：512MB，8GB。 然而如欲取代傳統硬碟（HDD）的固態硬碟（SSD）裝置則是使用10的整數倍數來表示容量大小，如1,000,000位元組與1,000,000,000位元組，這是因為傳統硬碟標示容量大小即是使用10進制詞頭。
- CompactFlash本來便是以NOR Flash為基礎的，雖然它之後跳槽到成本較低的NAND Flash。
- 因為人腦並不存在到所有神經元距離皆相等的 CPU，會因為神經元的分佈距離、而有傳輸速度上的差異。
- 美光 2550 SSD 是全球首款採用 200 層堆疊以上 NAND Flash 的客戶端 SSD。
- 試想它就像是汽車裡的油表，使用者可以定期檢查 SSD 固態硬碟的狀態。
所謂的有效容量是指用於資料存儲的部分，實際上還要加上16位元組的校驗資訊，因此用(512+16)Byte表示。 疫情期間，面對工作與生活型態的轉變，使得人們越來越依賴電子產品。 這其中除了手機、筆記型電腦與平板電腦等智慧行動裝置外，提供巨量傳輸服務的資料中心及其伺服器重要性更是不言而喻。
许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码并且需要多次擦写，这时NOR闪存更适合一些。 SSD 在讀寫資料時不會有噪音，耐震、傳輸速度快、重量又能縮減到 HDD 十分之一以上，現在已經成為個人電腦和筆記型電腦的主流儲存設備。 固態硬碟（Solid State Drive, SSD）也是以 NAND 型 Flash 為基礎所建構的儲存裝置。 速度慢、功耗高，對震動又相當敏感，很難用在小型行動裝置中。 目前用來儲存作業系統的程式碼或重要資料，比如拿來做 ROM。
在車用電子應用中, 對於高品質serial NAND 的要求是要能夠在85°C 高溫下完成100次寫入/擦除 (Program/Erase cycles) , 並保存資料25年。 但在汽車實際應用中, 多數幾乎不會操作達到100次寫入/擦除以上。 對於許多嵌入式應用 來說, 使用串列式傳輸介面 的NAND 來取代 NOR, 並不會有太多問題。 但是在容量在256Mb以下, 幾乎很少發生, 因為在低容量的Flash, 周邊電路所佔在元件的面積比例較大, NAND不會在成本上有多大優勢。 但在512Mb 和以上的容量, array面積佔用了元件的主要部份, 成本優勢就非常顯著。 一種是NOR Flash, 這是一種穩定可靠的記憶體, 可以長時間讀寫並保存資料。
而除了三星外，東芝，海力士，美光也在去年開始投入小量量產或者研發階段，去年起在64層3D的成本架構開始超過2D NAND Flash主流的15nm良率提升後，各家陸續放量出貨，使得NAND Flash供給吃緊的狀況獲得解除。 群聯在企業端應用主要分成 Real Intensive（影片網站、社群媒體、線上零售、醫療影像）、高效能產品（AI, 5G）領域，將透過與國際 Tier 1 客戶合作持續發展。 群聯主要產品為 SSD 模組及控制 IC 的製造及銷售，其中模組佔總營收比例約 80%，主要和 Flash 供應商購買顆粒製造成模組銷售；而控制 IC 佔比約 20%，主要賣給原廠供應商，並協助其做產品設計。 Flash属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)，即使断电了，也不会丢失. 然而根據2013年4月DRAMeXchange的調查數據顯示，2012年全年NAND型快閃記憶體品牌廠商總營收落在190億6千2百萬美元，較2011年衰退6.6%。 根據DRAMeXchange的研究報告，2007年全球Flash產業的市場規模為133億6千8百萬美元，2008年則是114億1千8百萬美元，整體營收降低了14.6％，主要的原因是受到產品平均單價下滑的影響。
接下來這個區塊還可以依序寫入1010、0010，最後則是0000。 可是實際上少有演算法可以從這種連續寫入相容性得到好處，一般來說還是整塊抹除再重寫。 nandflash 儘管快閃記憶體的資料結構不能完全以一般的方式做更新，但這允許它以「標記為不可用」的方式刪除訊息。 這種技巧在每單元儲存大於1位元資料的MLC裝置中必須稍微做點修改。
由香港SEO公司 featured.com.hk 提供SEO服務
